Подбор по параметрам

Uвх В, не более

Iвх мА

Uвых.ост В, не более

Кi %, не менее

Uком В, не более

Iут.вых мкА, не более

Ток коммутации мА, не более

t1.0зд.р мкс

t0.1зд.р мкс

Uиз В, не менее

Количество каналов

Тип корпуса

  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 70 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 70 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 300 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 15 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 300 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 70 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 300 %
  • Uком 15 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 15 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 15 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 300 %
  • Uком 15 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 15 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 70 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 70 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 15 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 15 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р 6.0 — 10 мкс
  • t0.1зд.р 12 — 100 мкс
  • Uиз 6000 (3000) В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP6 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1000 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1000 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 10 — 40 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 300 %
  • Uком 30 В
  • Iут.вых 1.0 мкА
  • Ток коммутации 50 мА
  • t1.0зд.р - — 150 мкс
  • t0.1зд.р - — 150 мкс
  • Uиз 12000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 1400 %
  • Uком 60 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р - — 10 мкс
  • t0.1зд.р - — 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4