RU / EN
Поиск

Кристальное производство

О производстве

01.

В кристальном производстве АО «Протон» представлен полный технологический цикл изготовления полупроводниковых кремниевых пластин от получения и обработки исходных пластин до разделения пластин на кристаллы.

Участок технохимии

02.

На участке химической обработки проводятся операции по формированию партий кремниевых пластин и их обработке с целью удаления органических и неорганических загрязнений.

Участок шаблонов

03.

На участке шаблонов изготавливают рабочие шаблоны на стеклозаготовках по всей номенклатуре изделий, которые впоследствии используются на участке фотокопии.

Участок фотокопии

04.

На данном участке проводится технологических процесс получения требуемого рисунка на поверхности кремниевых пластин.

Участок термопроцессов

05.

Термические операции занимают значительное место в технологическом процессе. С помощью термических операций формируются диэлектрические, монокристаллические и поликристаллические слои на поверхности кремниевых пластин, а также диффузионные слои в приповерхностной области.

Участок ионного легирования

06.

Ионное легирование — технологический метод внедрения ускоренных ионов, с высокой степенью точности в кремниевые пластины, в результате которого происходят изменения физико-химических и электрических параметров обрабатываемых пластин.

Участок травления

07.

На участке реализован процесс удаления требуемых материалов с поверхности кремниевых пластин, с помощью плазмы.

Участок напыления

08.

На установках напыления создается тонкий металлический слой, служащий контактом для кремниевых пластин.

Участок эпитаксии

09.

На участке эпитаксии используются методы, основанные на принципе газофазной эпитаксии. Процессы проводятся в специальных, герметичных реакторах, как вертикального, так и горизонтального типа. Реакция проходит на поверхности кремниевых пластин, нагретых до температуры 1200 °С.

Участок скрайбирования

10.

Финишный этап изготовления полупроводниковых кремниевых пластин, представляющий собой их разделение на отдельные кристаллы.

Участок МЗУ

11.

Участок МЗУ (многозондовых установок) производит проверку электрических параметров кристаллов полупроводников на соответствие техническим требованиям с помощью зондовых установок.