Подбор по параметрам

Uвх В, не более

Iвх мА

Uвых.ост В, не более

Кi %, коэффициент передачи по току

Uком В

Iут.вых мкА, не более

Ток коммутации мА, не более

t1.0зд.р мкс, не более

t0.1зд.р мкс, не более

Uиз В, не менее

Количество каналов

Тип корпуса

  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 400 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 400 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP8 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 400 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 400 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх 5 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 100 мА
  • t1.0зд.р 10 мкс
  • t0.1зд.р 100 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.5 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.5 В
  • Iвх 1 — 20 мА
  • Uвых.ост 1.5 В
  • Кi 2000 — - %
  • Uком - — 70 В
  • Iут.вых 10 мкА
  • Ток коммутации 20 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 90 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 2
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.5 В
  • Iвх - — 10 мА
  • Uвых.ост 0.4 В
  • Кi 200 — - %
  • Uком 0.5 — 9 В
  • Iут.вых 50 мкА
  • Ток коммутации 2 мА
  • t1.0зд.р 4 мкс
  • t0.1зд.р 14 мкс
  • Uиз 1500 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.5 В
  • Iвх 1 — 15 мА
  • Uвых.ост 0.4 В
  • Кi 300 — - %
  • Uком - — 60 В
  • Iут.вых 0.01 мкА
  • Ток коммутации 28 мА
  • t1.0зд.р 35 мкс
  • t0.1зд.р 200 мкс
  • Uиз 3000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх - — 50 мА
  • Uвых.ост 0.2 В
  • Кi 80 — 160 %
  • Uком - — 35 В
  • Iут.вых 0.1 мкА
  • Ток коммутации 50 мА
  • t1.0зд.р 18 мкс
  • t0.1зд.р 18 мкс
  • Uиз 5000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх - — 50 мА
  • Uвых.ост 0.2 В
  • Кi 80 — 160 %
  • Uком - — 35 В
  • Iут.вых 0.1 мкА
  • Ток коммутации 50 мА
  • t1.0зд.р 18 мкс
  • t0.1зд.р 18 мкс
  • Uиз 2500 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх - — 50 мА
  • Uвых.ост 0.2 В
  • Кi 130 — 260 %
  • Uком - — 35 В
  • Iут.вых 0.1 мкА
  • Ток коммутации 50 мА
  • t1.0зд.р 18 мкс
  • t0.1зд.р 18 мкс
  • Uиз 5000 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)
  • Uвх 1.6 В
  • Iвх - — 50 мА
  • Uвых.ост 0.2 В
  • Кi 130 — 260 %
  • Uком - — 35 В
  • Iут.вых 0.1 мкА
  • Ток коммутации 50 мА
  • t1.0зд.р 18 мкс
  • t0.1зд.р 18 мкс
  • Uиз 2500 В
  • Количество каналов 1
  • Тип корпуса DIP4 (поверхностный монтаж)